Розглянуто структуру і властивості оточення домішкових атомів Im, введених у рідкий гелій. Продемонстровано існування двох якісно відмінних типів структур найближчого до Im шару атомів гелію - структур притягання і відштовхування. У структурі притягання до центру (при сильній взаємодії Im - He) відстань Im - He більша, ніж рівноважна для парного потенціалу Im - He, а густина і локалізація атомів гелію вища, ніж в об'ємі. При цьому кількість атомів гелію в шарі n майже не залежить від зовнішнього тиску. У структурі відштовхування, яка реалізується для атомів лужних металів, відстань Im - He менша, ніж рівноважна, але густина нижча, ніж в об'ємі гелію. При T ~ 1 K заселено декілька станів з різними n, енергії яких відрізняються лише на ~ 0,1 K, до того ж збільшення тиску призводить до суттєвого зменшення n. На основі проведеного аналізу інтерпретовано оптичні й ЕПР спектри атомів, які імплантовані в рідкий і твердий гелій. Подано просту модель для визначення характеристик гелійового оточення за експериментальними залежностями зсувів атомних ліній в спектрах поглинання і випромінювання в залежності від тиску. Передбачено, що в суміші ³He - ⁴He структури притягання повинні бути сильно збагачені атомами ⁴He, а структури відштовхування - атомами ³He. Можливе існування фазових переходів у гелійових оболонках, які оточують домішкові атоми.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"