Описан принцип действия новых типов источников ИК излучения, основанный на возбуждении отрицательной и положительной люминесценции в варизонных полупроводниковых структурах с узкозонным излучающим слоем с помощью эффектов эксклюзии и аккумуляции. Приведены конструкции и характеристики источников излучения. Даны рекомендации по их практическому использованию.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"