Отримано точний розв'язок модельної задачі, в якій тунелювання 2D-електронів крізь магнітні бар'єри розглянуто з урахуванням власного магнітного моменту електрона. З'ясовано загальні вимоги до топології магнітних бар'єрів, які забезпечують спінзалежне тунелювання носіїв. Запропоновано структуру, яка може служити ефективним пристроєм для фільтрації електронів за напрямком спінової поляризації.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"