Проаналізовано фотоелектричні характеристики гетеропереходу (ГП) p-GaSe - n-InSe з урахуванням наявності тонкого діелектрика на його гетеромережі. Присутність діелектрика виявлено за насиченням ємності у разі прямих зміщень ГП, що дозволило пояснити спостережувані перевищення фото-ерс над величиною дифузійного потенціалу, незначне відхилення вольт-амперних характеристик від ідеальних.

• Катеринчук Валерій Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"