Представлены результаты исследования вольтамперных характеристик (ВАХ) m-n : InP_{1 - x}As_x-n : In_0,4Ga_0,6As-n⁺ : In_0,4Ga_0,6As диодов Ганна с длиной активных областей 2,5 и 1,0 мкм. Показано, что в диоде с запорным металлическим катодом и длиной активных областей 2,5 мкм, в зависимости от внешнего поля, возможно распространение дипольных доменов в n : InP_{1 - x}As_x-, n : In_0,4Ga_0,6As-области или одновременно в двух областях.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"