Досліджено реверсивний фотостимульований зсув краю поглинання DELTA E_g наночастинок As₂S₃ в SiO-матриці. Виявлено, що при зменшенні розміру частинок As₂S₃ DELTA E_g значно зростає (у 3 - 4 рази) порівняно із суцільними плівками. Встановлено, що релаксація фотопотемніння композитних шарів суттєво прискорюється із збільшенням кількості циклів відпал-експозиція. Виявлені ефекти пов'язано з просторовим обмеженням дифузійної довжини фотозбуджених носіїв та впливом поверхні на структурну релаксацію у масштабі середнього порядку в наночастинках сульфіду миш'яку.

• Індутний Іван Захарович (1949–) (фізико-математичні науки)
• Шепелявий Петро Євгенович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"