В полупроводниковых соединениях n-InAs и n-CdAs₂ изучено удельное электросопротивление как функция давления rho(P) при гидростатических и квазигидростатических давлениях до 10 ГПа. По результатам исследований установлено, что n-InAs является перспективным материалом, сочетающим в одном датчике калибратор и командный элемент. Наличие в исследованных образцах значительного скачка электросопротивления при P = 6,9 ГПа на зависимости rho(P) позволяет рекомендовать его в качестве командного элемента, а линейная зависимость lgrho(P) в диапазоне давлений 3 - 6 ГПа может быть использована для калибровки аппаратов высокого давления (АВД). Наличие трех максимумов P = 1,8; 3 и 5,5 ГПа на зависимостях rho(P) для образцов n-CdAs₂, ориентированных в направлении [001], и двух максимумов P = 3 и 5,5 ГПа - для образцов, ориентированных в направлении [100], позволяет рекомендовать CdAs₂ в качестве перспективного реперного материала.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"