Досліджено механізми утворення та термічна стабільність контактів, сформованих йонно-плазмовим напилюванням боридів і нітридів титану на арсенід галію. Застосовано комплекс структурних, вторинно- емісійних, оптичних і електрофізичних методів: електронографія, рентгенофазовий аналіз, мікроскопія атомних сил, Оже-електронна спектроскопія, мас-спектрометрія вторинних йонів, зняття спектрів фотолюмінесценції та вольт-амперних характеристик. Запропоновано фізичну модель контактоутворення, згідно якої при осадженні боридів (нітридів) титану на міжфазовій межі формуються тверді розчини B_xGa_1-xAs(GaN_xAs_1-x). У ході формування гетероструктур і наступних термічних обробок у приконтактних ділянках напівпровідника генеруються дефекти. Через них відбувається взаємозв'язок між фізико-хімічними взаємодіями на міжфазових межах контактів та їх електрофізичними параметрами. Досліджені об'єкти мають високу термічну стабільність. Це зумовлено їх двошаровою структурою, утвореною компонентами з яскраво вираженими антидифузійними властивостями. Внаслідок цього різко послаблюються процеси взаємодії на міжфазових межах.

• Венгер Євген Федорович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)
• Іванов Вадим Миколайович (1892–1962) (медичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"