Розглянуто умови формування НВЧ сигналів фотопровідності високоомних напівпровідників у процесі імпульсної та гармонічної фотомодуляцій провідності, які виділяються за допомогою складового циліндричного РВП з Н012 видом коливань. Досліджено особливості вимірювання параметрів напівпровідників за високих рівнів фотозбудження. Доведено, що у більшості випадків фазовий метод вимірювання часу життя в напівпровідниках забезпечує високий ступінь адекватності досліджень.

Рассмотрены условия формирования СВЧ сигналов фотопроводимости высокоомных полупроводников при импульсной и гармонической фотомодуляции проводимости, выделяемых с помощью составного цилиндрического РИП с Н012 видом колебаний. Исследованы особенности измерения параметров полупроводников при высоких уровнях фотовозбуждения. Доказано, что в большинстве случаев фазовый метод измерения времени жизни в полупроводниках обеспечивает высокую степень адекватности исследований.

Conditions of hidht-ohmic semiconductior photoconductivity microwave signals formation with the pulse and harmonic photomodulation of conductivity, these signals being extract ed with oscillation mode composite cylindrical resonator, are considered. Recularities of seviconductors parameters measurement at high levels of photo excitation are studied. It is shown that the plase method of life-time measurement in semiconductors offer a high degree of the research adequacy in most cases.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"