Предложена конструкция полупроводниковой структуры преобразователя частоты миллиметрового диапазона длин волн, основанного на параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью, содержащая выходной элемент связи в виде частотно-избирательной встречно-штыревой системы полосковых контактов с барьером Шоттки. Теоретически проанализировано влияние передаточной функции выходного элемента связи на амплитудно-частотную характеристику преобразователя частоты.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"