Пропонується модель деформаційного формування поверхневого бар'єра у напівпровіднику, розглядається його вплив на властивості контакту "метал - напівпровідник". Висвітлюються питання електропровідності системи квазідвовимірних електронів, наведені термодинамічні величини електронного газу у шаруватих кристалах. Здійснено розрахунок концентрації радіаційних дефектів у багатоатомних сполуках під час каскадоутворюючого опромінення, а також синтез подільника частоти з дробовим коефіцієнтом ділення тощо.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"