In the frames of a diffusion model modified by mechanical and deformation effects, a method of impurity stationary profile is proposed. The presence of stressed layers in heterosystems is shown to result in the redistribution of impurities. In particular, impurities are stored in the stressed layers of a heterostructure, which consequently leads to a decrease in the concentration of impurities in the non-deformed part of a crystal. In stressed layers with tension deformation, the impurity concentration is reduced, but it increases in the non-deformed part of a heterostructure.

• Кузик Олег Володимирович (економічні науки)
• Кузик Олександр Володимирович (технічні науки)
• Кузик Олег Васильович (фізико-математичні науки)
• Пелещак Роман Михайлович (фізико-математичні науки)
• Савчук Анастасія Валеріївна (хімічні науки)
• Савчук Алла Володимирівна (фізико-математичні науки)
• Савчук Анастасія Вікторівна (педагогічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"