|
|
ДС69174
 Гайдар, Галина Петрівна.
Особливості анізотропії розсіяння електронів у кристалах Si і Ge n-типу, що виникають під впливом направленої пружної деформації, термовідпалів і ядерної радіації [Текст] : дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Гайдар Галина Петрівна ; НАН України, Наук. центр "Ін-т ядер. дослідж.". - К., 2000. - 145 арк. - Бібліогр.: арк. 124-139.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут ядерних досліджень (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
|