Наукова періодика України | Ядерна фізика та енергетика | ||
Власенко О. І. Вплив нейтронного опромінення на характеристики потужних InGaN/GaN світлодіодів / О. І. Власенко, В. П. Велещук, З. К. Власенко, М. П. Киселюк, П. Г. Литовченко, І. В. Петренко, В. П. Тартачник, М. Б. Пінковська // Ядерна фізика та енергетика. - 2015. - Т. 16, № 4. - С. 362-366. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/yadf_2015_16_4_8 Вивчено вплив потоку швидких нейтронів реактора (E = 2 МеВ, PHI = 2x10¹⁴ н/см²) на вольтамперні та вольтфарадні характеристики, інтенсивність електролюмінесценції потужних InGaN/GaN світлодіодів на кремнієво-вуглецевій підкладинці та кремнієвій підкладинці із золото-олов'яним контактом. Виявлено, що величина та знак зміни тунельних струмів після радіаційного опромінення у світловипромінювальних InGaN/GaN гетероструктурах суттєво залежить від підкладинки. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Власенко О. І. Вплив нейтронного опромінення на характеристики потужних InGaN/GaN світлодіодів / О. І. Власенко, В. П. Велещук, З. К. Власенко, М. П. Киселюк, П. Г. Литовченко, І. В. Петренко, В. П. Тартачник, М. Б. Пінковська // Ядерна фізика та енергетика. - 2015. - Т. 16, № 4. - С. 362-366. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/yadf_2015_16_4_8.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |