Проаналізовано вплив освітлення різної інтенсивності на зміну параметра анізотропії рухливості <$E K~=~mu sub symbol <94> over mu sub ||~=~m sub || over m sub symbol <94>~cdot~{symbol ... tau sub symbol <94> symbol ъ} over {symbol ... tau sub || symbol ъ}> в <$E gamma>-опромінених монокристалах n-Ge з неоднорідним розподілом легуючої домішки в об'ємі кристала. На підставі експериментальних і теоретичних розрахунків показано, що в <$E gamma>-опроміненому n-Ge поздовжня складова рухливості <$E mu sub ||> в окремих ізоенергетичних еліпсоїдах практично не залежить від інтенсивності освітлення. Істотна зміна поперечної складової рухливості <$E mu sub symbol <94>> за збільшення інтенсивності світла визначається зміною параметра анізотропії часів релаксації <$E K sub tau~=~{symbol ... tau sub symbol <94> symbol ъ} over {symbol ... tau sub || symbol ъ}>.

  Повний текст PDF - 290.567 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"