В статье исследована зависимость влияния температуры на инерционные свойства "электронно-дырочной плазмы" в канале МДН-структуры. Показано, что время жизни носителей в канале вносит основной вклад в температурную зависимость точки инверсии знака реактивности. Получена аналитическая зависимость времени жизни носителей заряда от температуры.Гетерометалевим комплексним сполукам притаманний напівпровідниковий тип провідності, інтервал робочих температур яких залежить від природи центральних атомів металів, місткових лігандів, стереохімії метал-лігандного оточення, і можуть бути використані як напівпровідниковий матеріал. Розроблено методику синтезу гетерометалевого <$E mu>-метоксо(купрум(II), бісмут(III)) ацетилацетонату(I). Cинтезовано напівпровідниковий матеріал <$E mu>-метоксо(купрум(II), бісмут(III)) ацетилацетонат, такого складу: Cu3Bi(AA)4(OCH3)5, де HAA = H3C-C(O)-CH2-C(O)-CH3. Мета дослідження - дослідження впливу температури на фізичні параметри синтезованого напівпровідникового матеріалу. Проведено експериментальні вимірювання та теоретичні розрахунки залежностей основних фізичних параметрів цього матеріалу від температури та магнітного поля. Так, в діапазоні температур від 273 К до 493 К питомий опір зразків досліджуваного матеріалу зменшився з <$E 1,35~cdot~10 sup 14> до <$E 1,5~cdot~10 sup -4~roman {Ом~cdot~м}>; опір зразка, розмірами 0,5 x 0,5 x 0,15 мм, за 273 К рівний <$E 9,01~cdot~10 sup 17> Ом, а за 493 К - 1 Ом; концентрація носіїв заряду за температури 273 К становить <$E 4,9~cdot~10 sup 17~roman м sup -3>, за 323 К - <$E 8,2~cdot~10 sup 23~roman м sup -3>, тоді як за температури 493 K концентрація носіїв вже становить 4,4 x 10<^>35 м<^>-3; величина струму за напруги живлення 1 В та температури 273 K - I = <$E 1,1~cdot~10 sup -18> A, максимальне значення струму досягається за температури 493 K - I = 0,99 A. Залежності напруженності Холлівського поля в середині напівпровідника від індукції магнітного поля за різних температур, та напруги Холла показують, що дані величини не залежать від температури і, збігаються в одну лінію. В діапазоні від 0 до 200 мТ Холлівська напруга зростає від <$E 1,12~cdot~10 sup -11> до <$E 2,24~cdot~10 sup -10> В, від 200 до 600 мТ - від <$E2,24~cdot~10 sup -10> до <$E 6,73~cdot~10 sup -10> В і від 600 до 1000 мТ - Холлівська напруга зростає від <$E 6,73~cdot~10 sup -10> до <$E 1,12~cdot~10 sup -9> В. Доведено, що цей матеріал є напівпровідником, причому з носіями заряду обох знаків.

  Повний текст PDF - 447.046 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"