Досліджено процес розсіяння високоенергетичних заряджених частинок прямими та зігнутими кристалами, орієнтованими щодо падаючих частинок під малим кутом до однієї з головних кристалічних осей чи площин, та порівняльний аналіз основних механізмів відхилення високоенергетичних заряджених частинок зігнутими кристалами. Знайдено аналітичний вираз для безперервного потенціалу та напруженості поля ланцюжків атомів кристалу та кристалічних атомних площин в моделі потенціалу Дойля - Тернера. Розвинено модель урахування некогерентного розсіяння швидких заряджених частинок на ядрах атомів кристалу та електронній підсистемі кристалу. Проведено теоретичний аналіз процесу формування кутових розподілів заряджених частинок в орієнтованому кристалі та аналіз процесу дифузії швидких заряджених частинок у кристалі в площині, що є ортогональною до однієї з головних кристалічних осей. Запропоновано теоретичну модель, в межах якої можливе проведення порівняльного аналізу різних механізмів відхилення заряджених частинок зігнутим кристалом. Знайдено та проаналізовано рівняння руху швидкої зарядженої частинки в полі зігнутих ланцюжків атомів кристалу та кристалічних площин. Проведено порівняльний аналіз ефективності відхилення позитивно та негативно заряджених частинок зігнутим кристалом за допомогою трьох основних механізмів відхилення. Відхилення заряджених частинок високих енергій - це важлива проблема фізики прискорювачів. Для відхилення таких частинок можна використовувати електромагнітні системи або зігнуті кристали. Обидва варіанти мають свої переваги та недоліки. Головними перевагами зігнутих кристалів є їх компактний розмір та відсутність необхідності охолодження, завдяки чому в багатьох прискорювальних центрах зігнуті кристали застосовують для виведення пучків з кільцевих прискорювачів та для колімації пучків.

  Повний текст PDF - 231.91 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"