Наукова періодика України | Технічні науки та технології | ||
Ковтун А. Взаимопревращение электронных центров в примесных щелочногалоидных кристаллах / А. Ковтун, А. Дымерец // Технічні науки та технології. - 2017. - № 2. - С. 135-142. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/tnt_2017_2_18 Проведено експериментальні та теоретичні дослідження кінетики фотоперетворення F <$E symbol М back 120 up 30 symbol О> FA в кристалах KCl+ 1 мол.% LiCl в шихті. Показано, що механізм перетворення F-центрів в FA-центри полягає в тому, що при опроміненні кристалів світлом F-центри переходять в збуджений стан та віддають електрони в зону провідності в результаті електронфононної взаємодії. За час життя електронів в зоні провідності вільні галоїдні вакансії внаслідок дифузії стабілізуються іонами домішки. Потім, приєднуючи електрони, стабілізовані галоїдні вакансії перетворюються в FA-центри. Показано, що в опромінених рентген-променями (gamma-променями) кристалах заповнення сусідніх галоїдних вакансій тунелюванням електронів збуджених F-центрів відбувається тільки частково. Запропоновано використовувати тунельний ефект для запису інформації сфокусованим променем від квантового генератора світла. Видаляти записану інформацію можна розфокусованим пучком світла. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Ковтун А. Взаимопревращение электронных центров в примесных щелочногалоидных кристаллах / А. Ковтун, А. Дымерец // Технічні науки та технології. - 2017. - № 2. - С. 135-142. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/tnt_2017_2_18.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |