Представлено нову діагностичну модель базового логічного елементу (вихідного транслятора напівпровідникової інтегральної мікросхеми) для вдосконаленого індукційного методу діагностування. Процес визначення технічного стану сучасного радіоелектронного озброєння пов'язаний з реєстрацією та обробкою діагностичних параметрів. Основу цифрової схемотехніки становлять логічні інтегральні мікросхеми, собливості будови яких дозволили одержати математичні вирази для розрахунку значень діагностичного параметру визначення технічного стану як окремих компонентів цифрової електроніки так і цілком зразка радіоелектронного озброєння. Нова діагностична модель відображує зв'язок струму через вихідний транслятор логічної інтегральної мікросхеми з фізико-хімічними процесами, які відбуваються в напівпровідникових структурах радіоелектронних компоненті в під час експлуатації (старіння).

  Повний текст PDF - 332.356 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"