Наукова періодика України Системні технології

Gnilenko A. B. 
Floating gate flash memory cell simulation / A. B. Gnilenko // Системні технології. - 2019. - Вип. 1. - С. 81-88. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/st_2019_1_13
З використанням інструментів ТСАПР проведено комп'ютерне моделювання комірки флеш-пам'яті з керуючим затвором, який охоплює плаваючий затвор. Для даної комірки пам'яті моделювалися базові операції програмування і стирання. В результаті моделювання, для різних значень товщини шару тунельного оксиду і керуючої напруги, одержано вольтамперні та перехідні характеристики, що демонструють можливості розглянутої конструкції комірки пам'яті.
  Повний текст PDF - 3.778 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Gnilenko A.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Gnilenko A. B. Floating gate flash memory cell simulation / A. B. Gnilenko // Системні технології. - 2019. - Вип. 1. - С. 81-88. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/st_2019_1_13.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського