Рассмотрен технологический вариант электронно-лучевого испарения и управляемого осаждения направленного атомно-молекулярного парового потока (посредством его отражения нагретой поверхностью рефлектора) на плоскую поверхность. На примере покрытий железом определен удельный привес образцов, расположенных на горизонтальной поверхности в зависимости от их удаления от оси испарителя. Рассчитан кпд процесса осаждения металла на горизонтальной поверхности вокруг испарителя в зависимости от размера рефлектора, угла его наклона к горизонту, его удаления от испарителя и от скорости испарения металла. Показано, что наибольший кпд процесса осаждения парового потока металла достигается при горизонтальном расположении рефлектора с увеличением площади его отражающей поверхности и скорости испарения металла. Указаны расстояния от испарителя до рефлектора при максимальном кпд процесса.

  Повний текст PDF - 913.47 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"