Развитие микроэлектроники, микромеханики, нанотехнологий требует совершенствования методов измерения линейных размеров элементов топологии микросхем, анализа поверхностных структур, а также требует средств измерений, подтверждающих достоверность результатов измерений размеров реальных объектов и их элементного состава. Измерения линейных размеров в микронном и субмикронном диапазонах методом растровой электронной микроскопии на сегодняшний день считаются одними из наиболее точных. Следует отметить, что ведущие страны мира, занимающие ключевые позиции в микроэлектронике, вопросам внедрения метрологии в практику линейных измерений в микро- и нанометровом диапазонах уделяют первостепенное значение.

  Повний текст PDF - 463.348 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"