Досліджено вплив технологічного процесу формування антивідбивних шарів на основі поруватого кремнію на стан фронтальної контактної системи кремнієвих сонячних елементів. Для оптимізації даної технології використано електроліт C2H5OH:H2O:HF = 1:1:1 за поверхневої густини анодного заряду 0,46 Кл/см<^>2. Зменшення часу анодування в такому електроліті до 10 с надало змогу одержати шари поруватого кремнію без суттєвого пошкодження контактної струмозбиральної гребінки. Встановлено механізм і ступінь впливу фронтального шару поруватого кремнію на основні параметри досліджуваних зразків сонячних елементів. Для моно- і мультикристалічних сонячних елементів приріст фотоструму перевищував 50 %, коефіцієнт корисної дії підвищився на 25 і 22 %, відповідно для монокристалічних і мультикристалічних зразків. При цьому виявлено зменшення напруги неробочого ходу на 2,5 % для всіх досліджуваних зразків.

  Повний текст PDF - 814.086 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"