Досліджено тензоопір за T = 300 K для опромінених електронами, з енергією 10 МеВ, монокристалів n-Ge, одновісно деформованих вздовж кристалографічних напрямків [100], [110] та [111]. На основі аналізу одержаних залежностей сталої Холла від одновісного тиску було зроблено висновок, що домінуючим механізмом тензоопору опромінених монокристалів n-Ge є зміна співвідношення між концентраціями електронів та дірок у разі одновісної деформації. Одержана лінійна залежність тензоопору за одновісного тиску P >> 0,25 ГПа вздовж кристалографічного напрямку [100] може бути використана для конструювання на основі опроміненого n-Ge тензодатчиків для контролю високих одновісних тисків.Досліджено вплив опромінення різними потоками швидких електронів з енергією 12 МеВ на магнітну чутливість монокристалів n-Si <

>. На основі вимірювань інфрачервоної Фур'є-спектроскопії та ефекту Холла було встановлено, що основними радіаційними дефектами, які утворились в кремнії під час електронного опромінення, є комплекси CiOi, A-центри (комплекси VOi) та A-центри, які додатково модифіковані домішкою фосфору (комплекси VOiP). Проведені розрахунки показують, що зі збільшенням потоку електронного опромінення магнітна чутливість досліджуваних зразків кремнію зростає. Це пояснюється збільшенням ступеня компенсації монокристалів n-Si <

>, що призводить до зростання сталої Холла і відповідно магнітної чутливості.

  Повний текст PDF - 744.199 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"