Наукова періодика України | Сенсорна електроніка і мікросистемні технології | ||
Луньов С. В. Вплив електронного опромінення на магнітну чутливість монокристалів N-Si |P| / С. В. Луньов, А. І. Зімич, В. Т. Маслюк, І. Г. Мегела // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2019. - Т. 16, № 1. - С. 68-77. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2019_16_1_7 Досліджено тензоопір за T = 300 K для опромінених електронами, з енергією 10 МеВ, монокристалів n-Ge, одновісно деформованих вздовж кристалографічних напрямків [100], [110] та [111]. На основі аналізу одержаних залежностей сталої Холла від одновісного тиску було зроблено висновок, що домінуючим механізмом тензоопору опромінених монокристалів n-Ge є зміна співвідношення між концентраціями електронів та дірок у разі одновісної деформації. Одержана лінійна залежність тензоопору за одновісного тиску P >> 0,25 ГПа вздовж кристалографічного напрямку [100] може бути використана для конструювання на основі опроміненого n-Ge тензодатчиків для контролю високих одновісних тисків.Досліджено вплив опромінення різними потоками швидких електронів з енергією 12 МеВ на магнітну чутливість монокристалів n-Si < >. На основі вимірювань інфрачервоної Фур'є-спектроскопії та ефекту Холла було встановлено, що основними радіаційними дефектами, які утворились в кремнії під час електронного опромінення, є комплекси C >, що призводить до зростання сталої Холла і відповідно магнітної чутливості. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Луньов С. В. Вплив електронного опромінення на магнітну чутливість монокристалів N-Si |P| / С. В. Луньов, А. І. Зімич, В. Т. Маслюк, І. Г. Мегела // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2019. - Т. 16, № 1. - С. 68-77. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2019_16_1_7. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |