Досліджено тензоопір за T = 300 K для опромінених електронами, з енергією 10 МеВ, монокристалів n-Ge, одновісно деформованих вздовж кристалографічних напрямків [100], [110] та [111]. На основі аналізу одержаних залежностей сталої Холла від одновісного тиску було зроблено висновок, що домінуючим механізмом тензоопору опромінених монокристалів n-Ge є зміна співвідношення між концентраціями електронів та дірок у разі одновісної деформації. Одержана лінійна залежність тензоопору за одновісного тиску P >> 0,25 ГПа вздовж кристалографічного напрямку [100] може бути використана для конструювання на основі опроміненого n-Ge тензодатчиків для контролю високих одновісних тисків.

  Повний текст PDF - 744.199 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"