За методами функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів виконано обчислювальні експерименти на атомних моделях, що відтворюють нескінченні моношари SnS2 з інтеркальованими в їх міжшаровий простір атомів Na у різній кількості. Одержано просторові розподіли густини валентних електронів, що демонструють характер взаємодії між атомами у шаруватому кристалі SnS2. Встановлено зміни ширини забороненої зони двох нескінченних моношарів SnS2 за наявності атомів металу в їх прошарках, котра надає змогу використовувати такий матеріал як резистивний детектор атомів певних хімічних елементів.

  Повний текст PDF - 994.743 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"