| Наукова періодика України |
| Сенсорна електроніка і мікросистемні технології |
Махний В. П. Определение высоты барьера контактов Ni - полупроводник фотоэлектрическим методом / В. П. Махний, М. М. Березовський, В. М. Склярчук, А. М. Слётов // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2018. - Т. 15, № 2. - С. 13-19. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2018_15_2_4 Проанализированы спектры фототока структур, полученных вакуумным напылением полупрозрачных слоев Ni на химически травленные подложки ряда полупроводников (Si, GaAs, GaP, CdTe и ZnSe) n-типа проводимости. Все структуры обладают фоточувствительностью в области энергий фотонов меньше ширины запрещенной зоны полупроводника при освещении как со стороны никеля, так и со стороны подложки. Оба эти спектральные участки, построенные в фаулеровских координатах, приводят к одинаковым значениям высоты потенциального барьера для каждого из исследуемых контактов Ni-полупроводник. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Махний В. П. Определение высоты барьера контактов Ni - полупроводник фотоэлектрическим методом / В. П. Махний, М. М. Березовський, В. М. Склярчук, А. М. Слётов // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2018. - Т. 15, № 2. - С. 13-19. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2018_15_2_4. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" |
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
|||||
