Фізичні процеси, що зумовлюють поведінку струму в гетеропереходах n-ZnO/p-Si, створених ВЧ магнетронним розпиленням

Хомяк, В. В.

Нанесенням тонких плівок ZnO на р-Si підкладки за допомогою методу реактивного високочастотного магнетронного розпилювання за різних температур вирощування і співвідношень парціальних тисків кисню й аргону створено гетероструктури n-ZnO/p-Si. Регулювання кількості кисню у період зростання надає змогу контрольовано керувати фізичними властивостями тонких плівок ZnO, включаючи і гетеропереходи n-ZnO/p-Si. Вольтамперні характеристики створених структур володіли чітко вираженими випрямляючими властивостями. Для з'ясування фізичних процесів, що зумовлюють поведінку струму у разі прямого і зворотнього зміщень, побудовано та проведено аналіз зонних енергетичних діаграм, створених електричних переходів.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"


	Наукова періодика України		Сенсорна електроніка і мікросистемні технології