Чисельними методами визначено енергію електронних поверхневих станів, що зумовлені поляризаційними зарядами, які виникають на гетеромежах. Знайдено умови їх існування. Зокрема показано, що для гетеросистем з більшою різницею діелектричних проникностей, відповідні поверхневі стани існують у більшій області зміни розмірів нанокристала. Показано, що зі збільшенням розмірів нанокристала кожен дискретний енергетичний рівень, що відщеплюється від неперервного спектру в підбар'єрній області може ставати поверхневим електронним рівнем в поляризаційній ямі. Визначено, які саме стани стають поверхневими і для яких розмірів нанокристала. Проведено порівняння отриманих результатів для різних нанокристалів.

  Повний текст PDF - 1.294 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"