Проаналізовано явище кулонівської блокади в одноелектронному транзисторі на одній молекулі з позицій двох різних підходів: в концепції "знизу - вгору" наноелектроніки і, для порівняння, в традиційній концепції "згори - вниз" з застосуванням макроскопічних властивостей і понять, як-от ємність провідного каналу тощо. В межах побудованої елементарної теорії одноелектронного транзистора отримано чисельні оцінки для меж напруг, у яких можливе перенесення струму з витоку на стік, а також умов і параметрів, за яких можливе експериментальне спостереження явища "кулонівської блокади", коли струм не протікає за ненульової напруги між витоком і стоком.

  Повний текст PDF - 778.24 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"