Наукова періодика України Сенсорна електроніка і мікросистемні технології


Головацький В. А. 
Вплив магнітного поля на сили осциляторів міжзонних квантових переходів у двоямній сферичній квантовій точці / В. А. Головацький, І. Б. Бернік, М. Я. Яхневич // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2016. - Т. 13, № 4. - С. 28-36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2016_13_4_5
Досліджено вплив магнітного поля на енергетичний спектр і локалізацію електрона в багатошаровій сферичній квантовій точці на прикладі наносистеми CdSe/ZnS/CdSe/ZnS. Розрахунки виконано в межах наближення ефективних мас і моделі прямокутних потенціальних бар'єрів за допомогою методу розкладу хвильових функцій квазічастинки за повним набором хвильових функцій, отриманих як точний розв'язок рівняння Шредінгера для електрона в наносистемі за відсутності магнітного поля (МП). Показано, що МП знімає виродження енергетичного спектра за магнітним квантовим числом і деформує хвильові функції електрона. Причому, вплив на сферично-симетричні стани квазічастинки є найбільшим, особливо якщо електрон локалізований у зовнішній потенціальній ямі. Показано, що під впливом МП, квазічастинка може суттєво змінювати свою локалізацію внаслідок тунелювання крізь малопотужний потенціальний бар'єр, що розділяє потенціальні ями.У наближенні ефективних мас та моделі скінченних прямокутних потенціальних бар'єрів виконано розрахунки енергетичних спектрів та розподілів ймовірностей знаходження електрона та дірки в сферичній напівпровідниковій квантовій точці - квантовій ямі (КТКЯ), поміщеній в однорідне магнітне поле (МП). Дослідження виконано за методом розкладу хвильових функцій (ХФ) квазічастинок на базисі ХФ в КТКЯ без магнітного поля. Досліджено вплив МП на енергетичний спектр і локалізацію електрона та дірки в наносистемі CdSe/ZnS/CdSe/ZnS. Побудовано залежності енергетичних спектрів квазічастинок від індукції МП. Показано, що під впливом МП квазічастинки в основному стані можуть тунелювати крізь малопотужний потенціальний бар'єр із зовнішньої потенціальної ями у внутрішню, причому для електрона та дірки це відбувається за різних значень індукції МП, що відображається на силах осциляторів міжзонних квантових переходів. Розраховано залежності сил осциляторів міжзонного квантового переходу між основними станами електрона та дірки від індукції МП в наносистемах з різними розмірами внутрішньої потенціальної ями. Різний характер одержаних залежностей зумовлений різним розташуванням квазічастинок у шарах наносистеми.
  Повний текст PDF - 1.211 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Головацький В.
  • Бернік І.
  • Яхневич М.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Головацький В. А. Вплив магнітного поля на сили осциляторів міжзонних квантових переходів у двоямній сферичній квантовій точці / В. А. Головацький, І. Б. Бернік, М. Я. Яхневич // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2016. - Т. 13, № 4. - С. 28-36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2016_13_4_5.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського