Получение и свойства УФ-сенсоров на подложках GaP с модифицированной поверхностью

Махний, В. П.; Бодюл, Г. И.; Герман, И. И.; Склярчук, В. М.

Махний В. П.
Получение и свойства УФ-сенсоров на подложках GaP с модифицированной поверхностью / В. П. Махний, Г. И. Бодюл, И. И. Герман, В. М. Склярчук // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2016. - Т. 13, № 3. - С. 67-73. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2016_13_3_8

Исследованы фотоэлектрические свойства контактов Ni - GaP на основе монокристаллических подложек n-GaP с поверхностной наноструктурой, созданной химическим травлением в расплаве KOH + HNO₃ = 1:50. Спектр фоточувствительности таких структур охватывает диапазон 2,5 - 4 эВ, а напряжение холостого хода и токовая чувствительность достигают 0,9 В и 0,35 А/Вт соответственно, что значительно выше, чем у существующих аналогов.

Повний текст PDF - 566.091 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Махний В. П. Получение и свойства УФ-сенсоров на подложках GaP с модифицированной поверхностью / В. П. Махний, Г. И. Бодюл, И. И. Герман, В. М. Склярчук // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2016. - Т. 13, № 3. - С. 67-73. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2016_13_3_8.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача


	Наукова періодика України		Сенсорна електроніка і мікросистемні технології