Для створення промислової технології одержання тонких плівок CdTe для базових шарів сонячних елементів та оптоелектронних сенсорів досліджено вплив фізико-технологічних режимів конденсації за допомогою методу магнетронного розпилення на постійному струмі на кристалічну структуру та оптичні властивості вирощених плівок телуриду кадмію. З'ясовано, що за тиску інертного газу P_арг = 0,9 - 1 Па, струму розряду I = 80 мА і напруги на магнетроні V = 600 В нанесення плівок CdTe за методом магнетронного розпилення на постійному струмі протягом 25 хв. надає змогу одержувати текстуровані шари CdTe гексагональної модифікації, товщина яких 4 900 - 5 100 нм і ширина забороненої зони 1,52 - 1,54 еВ. Такі плівки телуриду кадмію інтенсивно поглинають світло в ІК області спектра. Після "хлоридної" обробки та наступного відпалу на повітрі в результаті фазового переходу вюртцит-сфалерит одержані плівки CdTe містять тільки стабільну кубічну модифікацію.

  Повний текст PDF - 679.681 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"