На основі базових рівнянь нерівноважної термодинаміки та фізики поверхні для твердотілих структур Si - SiO2 розраховано енергетичні параметри міжфазової взаємодії на границі Si/SiO2: міжфазова енергія <$Egamma sub m> та міжфазовий натяг <$Esigma sub m>. Досліджено вплив температури та X-випромінювання на поведінку цих параметрів. З'ясовано, що у діапазоні поглинутих доз X-опромінення (<$E8~cdot~10 sup 1 ~-~10 sup 2> Гр) відбувається перехід структури у рівноважний стан, що характеризується мінімумом міжфазової енергії. Встановлено кореляцію між рівнем механічних напружень у структурі та міжфазовим натягом на межі Si/SiO2.

  Повний текст PDF - 915.736 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"