В низькоомних кристалах CdTe:Cl n-типу (N_Cl ≈10 ²⁴ m^{-3) вперше спостережено динамічні (in-situ, повністю зворотні) акустостимульовані (АС) зміни провідності σ. Для визначення механізму АС явищ проведено дослідження температурних залежностей (77 ÷ 300 К) концентрації і рухливості електронів в умовах дії ультразвуку (УЗ) (f _US ~ 10 MHz, W_US ~ (0,1 ÷ 2,0 ) · 104 Wt/m2) та кінетики релаксації σ(t) при ввімкненні та вимкненні УЗ. Запропоновано акусто-дислокаційний механізм, який пов'язує: "миттєві" (t < 1 sec) зміни σ(t) з додатковим розсіюванням носіїв заряду на дислокаціях та кластерах точкових дефектів, які коливаються в УЗ полі; довготривалі (50 ÷ 500 sec) температурно-залежні релаксації σ(t) є результатом дифузійної перебудови точково-дефектної структури в об'ємі кластера, включаючи перетворення акцепторного комплексу [(V_Cd2-Cl_Te+)-] в нейтральний - [(V_Cd2-2Cl_Te+)0].}

  Повний текст PDF - 702.316 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"