В. Є. Лашкарьов (1903 - 1973 р.р.) - видатний учений України XX ст. в галузі фізики напівпровідників та їх прикладних проблем. Основні результати одержано в галузі досліджень поверхні за методом дифракції повільних електронів, фотоелектричних властивостей об'єму та поверхні напівпровідників з вивченням в них термоелектричних ефектів. Використовуючи явище термоелектрорушійної сили на точковому контакті метал-напівпровідник, (CuO) відкрив бар'єрну структуру - p-n перехід і надав фізично правильне пояснення її унікальних випрямляючих властивостей (публікація в Известиях АН СССР, с. Фіз. 5 , № 4-5 , сс. 442 - 446. 1941 р.). Згодом (1947 р.) саме така структура з 2-х суміжних точкових контактів-зондів з напівпровідником (Gе) була використана для відкриття транзисторного ефекта (1947 р., Бардин, Бреттен, Шріфер , нагороджені за це Нобелівською премією). Структури з p-n переходом є до цього часу базовими для електронного приладобудування.

  Повний текст PDF - 597.66 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"