Наукова періодика України Сенсорна електроніка і мікросистемні технології


Бурбан О. В. 
Вплив температури на тензочутливість сильнодеформованих монокристалів n-Ge / О. В. Бурбан // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2015. - Т. 12, № 2. - С. 64-70. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2015_12_2_9
Досліджено п'єзоопір монокристалів n-Ge для випадку одновісного тиску вздовж кристалографічного напрямку. Одержано залежності коефіцієнта тензочутливості для таких умов експерименту за різних фіксованих температур. Показано, що максимум коефіцієнта тензочутливості припадає на діапазон одновісних тисків 2,3 - 2,5 ГПа та зменшується зі збільшенням температури. Таке зменшення за температур, коли не проявляється ще власна провідність, пояснюється "виключенням" механізму розсіяння електронів на міждолинних та оптичних фононах за інверсії типу (<$E roman L sub 1~-~DELTA sub 1>) абсолютного мінімуму в n-Ge. За температур T >> 240 K необхідно додатково, у разі високих одновісних тисків, враховувати збільшення концентрації електронів в зоні провідності за рахунок власної провідності, що впливає як на величину п'єзоопору, так і коефіцієнта тензочутливості n-Ge.
  Повний текст PDF - 922.283 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Бурбан О.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Бурбан О. В. Вплив температури на тензочутливість сильнодеформованих монокристалів n-Ge / О. В. Бурбан // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2015. - Т. 12, № 2. - С. 64-70. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2015_12_2_9.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського