Рассмотрено применение метода динамического конденсатора, для определения зарядового состояния системы диэлектрик-полупроводник. Расчетным путем установлено, что измеряемая величина напряжения на конденсаторе имеет простую пропорциональную связь с зарядом, локализованным на поверхности диэлектрика. Этот расчетный вывод подтвержден в экспериментах по контролируемому осаждению заряда на структуры Si - SiO2. Приведены примеры использования рассматриваемого метода для определения величины и знака заряда, локализуемого на поверхности диэлектрического слоя, величины поверхностной фотоэдс и условий ее возникновения, а также для исследований кинетики адсорбционно-десорбционных процессов. Показано, что метод динамического конденсатора может быть эффективно применен в исследованиях по созданию новых базовых элементов сенсорики и в разработках способов улучшения характеристик источников фотоэдс. Метод позволяет прогнозировать возможность получения необходимых характеристик приборов уже на начальных технологических этапах их создания.

  Повний текст PDF - 462.974 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"