В настоящее время большое внимание уделяется исследованию электромагнитных свойств дефектных фотонных кристаллов. Это связано как с наличием плазменных и дефектных волн в таких кристаллах, так и с зонным характером спектра этих волн. Одним из самых интересных электромагнитных свойств дефектных фотонных кристаллов является резонансное взаимодействие плазменных и дефектных волн. Установлено, что резонансное взаимодействие наиболее отчетливо наблюдается во второй запрещенной зоне фотонного кристалла. В связи с этим актуальной задачей является исследование свойств электромагнитных волн в различных типах дефектных фотонных кристаллов. Исследован эффект резонансного взаимодействия плазменных и дефектных электромагнитных волн в одномерных дефектных фотонных кристаллах, граничащих с проводящей средой при условии, что дефектный слой является плазмоподобным. Показано, что наилучшие условия для наблюдения эффекта резонансного взаимодействия плазменных и дефектных мод имеют место в случае, когда дефектный фотонный кристалл граничит с полупроводниковой плазмой, а величина диэлектрической проницаемости дефектного слоя является положительной и имеющей промежуточное значение между диэлектрическими проницаемостями 2-х слоев элементарной ячейки фотонного кристалла. Полученные результаты имеют важное прикладное значение для создания новых устройств микроэлектроники и фотоники.

  Повний текст PDF - 294.984 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"