Отмечено, что быстрое развитие электронной техники характеризуется непрерывным расширением функциональных возможностей создаваемых новых типов элементов, приборов и систем, в которых используются пористые пластмассы. Поэтому возникает необходимость исследования основных электрофизических характеристик таких материалов. Успешное решение этой задачи невозможно без точного определения диэлектрической проницаемости (epsilon). Приведены два метода измерения низкой относительной epsilon (1,02 - 1,1) пенопластов с помощью цилиндрического волноводно-диэлектрического резонатора на запредельном волноводе, результаты измерений epsilon 4-х типов пенопластов в диапазоне частот 10 - 12 ГГц и дана оценка погрешностей измерений. В "непосредственном" методе исследуемый материал используется как диэлектрический элемент резонатора. В "косвенном" методе диэлектрический элемент изготовлен из фторопласта, а пенопласт заполняет запредельные участки волновода. Проведенные исследования показали, что "косвенный" метод дает уменьшение погрешности измерения epsilon в 2,5 - 5 раз по сравнению с "непосредственным". Но "непосредственный" метод проще в применении и позволяет измерять любые диэлектрические проницаемости.

  Повний текст PDF - 253.307 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"