Наукова періодика України | Радіофізика та електроніка | ||
Стороженко И. П. Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN / И. П. Стороженко, А. Н. Ярошенко, Ю. В. Аркуша // Радиофизика и электроника. - 2014. - Т. 5(19), № 2. - С. 77-81. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rphre_2014_5%2819%29_2_13 С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов в варизонном полупроводнике исследована работа диодов Ганна на основе варизонного <$E {roman Al} sub x(z) {roman Ga} sub 1-x(z) roman As> с <$E n sup + - n> и <$E n sup + -n sup - -n> катодами при различной длине активной области и толщине варизонного слоя. Показано, что <$E {roman Al} sub x(z) {roman Ga} sub 1-x(z) roman As> диоды по выходной мощности и эффективности генерации во всем диапазоне частот превосходят диоды на основе пространственно однородных по составу полупроводниковых соединений <$E {roman Al} sub x {roman Ga} sub 1-x roman As> при <$E х~=~0~symbol Ш~0,2>.Использование варизонных полупроводников позволяет увеличить эффективность и выходную мощность диодов Ганна. В соединениях InBN и GaBN, в отличии от других тройных полупроводниковых нитридов, энергетический зазор между долинами можно уменьшить до нуля, что дает возможность найти оптимальное распределение BN-компоненты в варизонных соединениях для диодов Ганна. Представлены результаты численных экспериментов по генерации электромагнитных колебаний в диапазоне 0,03 - 0,7 ТГц с помощью n<^>+ Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Стороженко И. П. Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN / И. П. Стороженко, А. Н. Ярошенко, Ю. В. Аркуша // Радиофизика и электроника. - 2014. - Т. 5(19), № 2. - С. 77-81. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rphre_2014_5(19)_2_13. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |