Освоение субмиллиметрового диапазона частот вплоть до терагерцевого является одной из актуальных задач современной микро- и наноэлектроники. Повышению рабочей частоты существующих микроволновых диодов препятствует инерционность процессов переноса носителей заряда в них, среди которых туннелированию присущи наименьшие инерционность и уровень шумов. Впервые предложен и исследован диод на основе однобарьерной наноструктуры с нерезонансным туннелированием электронов и их последующим дрейфом в пролетном слое. Исследования проведены в рамках модели малосигнального импеданса с учетом времени задержки инжекции электрона, которое сравнимо с его временем пролета для данного диода. Получены и исследованы зависимости микроволнового импеданса диода в диапазоне частот его отрицательной проводимости от угла пролета, диаметра и паразитного сопротивления диода при различных параметрах барьерного слоя, соответствующих времени задержки инжекции электрона от десятых долей до более 1 пс. Показано, что наибольшая отрицательная проводимость достигается при оптимальных значениях угла пролета и диаметра диода на частоте, близкой к четверти обратного времени инжекции. Она значительно превышает таковую для резонансно-туннельного диода при сравнении их шумовых характеристиках, что свидетельствует о перспективности использования данного диода в микроэлектронике. Проведенные исследования могут служить основой для создания нового типа диода субмиллиметрового диапазона, технология изготовления которого значительно проще таковой для резонансно-туннельного диода.

  Повний текст PDF - 394.451 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"