Наукова періодика України Радіофізика та електроніка

Стороженко И. П. 
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN / И. П. Стороженко, Ю. В. Аркуша // Радиофизика и электроника. - 2011. - Т. 2(16), № 1. - С. 58-63. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rphre_2011_2%2816%29_1_12
Представлен анализ транспортных свойств, идеализированного режима c ограничением накопления объемного заряда и резонансно-пролетного режима в n<^>+ - n - n<^>+- и n<^>+ - n<^>+ - n<^>- - n - n<^>+-диодах Ганна на основе GaN, AlN и InN. Показаны перспективность, особенности и проблемы использования полупроводниковых нитридов в диодах Ганна.
  Повний текст PDF - 425.515 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Стороженко И.
  • Аркуша Ю.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Стороженко И. П. Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN / И. П. Стороженко, Ю. В. Аркуша // Радиофизика и электроника. - 2011. - Т. 2(16), № 1. - С. 58-63. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rphre_2011_2(16)_1_12.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського