Наукова періодика України | Радіоелектроніка, інформатика, управління | ||
Кравчина В. В. Використання термоміграції в технології силових напівпровідникових приладів / В. В. Кравчина, О. С. Полухін // Радіоелектроніка, інформатика, управління. - 2018. - № 3. - С. 16-24. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/riu_2018_3_4 Проведені дослідження дозволяють удосконалити технологічні процеси виготовлення н/п приладів та контроль їх якості. Мета роботи - розробка і вдосконалення технології СНП з використовуванням процесів ТМ Al та дослідження рельєфу травлення кремнію в області р+-Si ізоляції. Досліджувався вплив часу відпалу на особливості МТ канавок в області термоміграції. Об'єктом дослідження були технологічні особливості процесів формування структур за різними маршрутами, що відрізняються послідовністю проведення процесів формування активних структур, а саме процесів відпалу структур і термоміграції Al. Проаналізовано причини зміни напруги пробою p-n-переходів вертикальних наскрізних областей, створених термоміграцією, в залежності від часу відпалу н/п структур. На зразках з оптимальним режимом відпалу в 16 годин при температурі 1250 <$E symbol Р>С спостерігаються максимальні напруги пробою шарів ізоляції та мінімальні величини МПТ канавок травлення кремнію різного типу провідності в області ізоляції кристалів наскрізними ТМ шарами. Такий мінімальний мікрорельєф визначає мінімум залишкових механічних напружень. Показано, що при виготовленні н/п структур приладів більшої потужності із зворотною напругою 2000 В, оптимальним є варіант маршруту, коли спочатку проводять процеси загонки домішок глибоких активних шарів, а потім проводять процеси ТМ при формуванні шарів ізоляції. Надалі проводять суміщений відпал як ізоляції, так і активних шарів. Таке суміщення процесів відпалу покращує характеристики структур. Висновки: в роботі визначено оптимальний маршрут, режим відпалу структур та показано, що контроль змін кінетики травлення шарів кремнію в області TМ домішки алюмінію допомагає у визначенні оптимальних режимів. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Кравчина В. В. Використання термоміграції в технології силових напівпровідникових приладів / В. В. Кравчина, О. С. Полухін // Радіоелектроніка, інформатика, управління. - 2018. - № 3. - С. 16-24. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/riu_2018_3_4.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |