Наукова періодика України | Радіоелектроніка, інформатика, управління | ||
Дмитриев В. С. Вплив термічної обробки на вольт-амперну характеристику та інжекційні властивості гетеропереходу Ag/n-n+GaAs / В. С. Дмитриев // Радіоелектроніка, інформатика, управління. - 2018. - № 2. - С. 7-13. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/riu_2018_2_3 В наш час дослідження та розробка гетеропереходів проводять у напрямках пошуку нових композицій метал-арсенід галію, розробки технологічних режимів, які змогли б забезпечити відтворюваність параметрів НВЧ приладів з бар'єрами Шотткі. Срібло у порівнянні з золотом має більшу тепло- та електропровідність, відносно невеликий коефіцієнт дифузії в арсенід галію, що дозволяє зменшити товщину перехідного шару. Перехід до металізації на основі срібла повинен підвищити технічні характеристики виробів. Розробка технологічних режимів виготовлення покращених гетеропереходів до GaAs на основі срібла є актуальною з наукової та практичної точок зору. Мета роботи - встановлення впливу термічної обробки на реальні вольтамперні характеристики та величину коефіцієнту інжекції гетеропереходу Ag/n-n+GaAs. Метод виготовлення гетеропереходів - термічне випаровування у вакуумі. Розрахунок параметрів гетеропереходу за методом вольтамперних характеристик. Рекомендований режим хімічної обробки GaAs-підкладки. Досліджено вплив термічної обробки на параметри та характеристики гетеропереходів Ag/n-n+GaAs. Досліджено вплив висоти бар'єру на величину коефіцієнту інжекції. Розглянуто та апробовано різні методи визначення висоти бар'єру Шотткі та фактору неідеальності з вольтамперних характеристик. Висновки: встановлено, що підвищення температури відпалу до 803 К дає найбільше значення висоти бар'єру <$E phi sub b> для гетеропереходу Ag/n-n+GaAs з концентрацією донорів в епітаксійному шарі <$E N sub D ~=~2~cdot~10 sup 16~roman см sup -3>. Встановлено, що найбільш точним методом визначення параметрів гетеропереходу з вольтамперної характеристики є метод direct approximation, який враховує вплив послідовного опору при визначенні фактору неідеальності та висоти бар'єру Шотткі. Розраховані коефіцієнти інжекції <$E gamma> для гетеропереходів з різною висотою бар'єру Шотткі, отриманих при різних температурах відпалу, мають дуже малі значення, тому інжекцією дірок можна знехтувати. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Дмитриев В. С. Вплив термічної обробки на вольт-амперну характеристику та інжекційні властивості гетеропереходу Ag/n-n+GaAs / В. С. Дмитриев // Радіоелектроніка, інформатика, управління. - 2018. - № 2. - С. 7-13. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/riu_2018_2_3. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |