Наукова періодика України | Радіоелектроніка, інформатика, управління | ||
Горбань А. Н. Особенности формирования комплементарных транзисторов для ИМС с диэлектрической изоляцией элементов / А. Н. Горбань // Радіоелектроніка, інформатика, управління. - 2013. - № 1. - С. 30-34. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/riu_2013_1_6 Оптимизированы процессы селективной эпитаксии слоев кремния на структурах Si-SiO Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Горбань А. Н. Особенности формирования комплементарных транзисторов для ИМС с диэлектрической изоляцией элементов / А. Н. Горбань // Радіоелектроніка, інформатика, управління. - 2013. - № 1. - С. 30-34. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/riu_2013_1_6. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |