Шляхом прямого та зворотного дискретного вейвлет-аналізу зображень травлених поверхонь {111} кристалів ZnSe:X (X = Te, Cu, Mg) та ZnSe виявлено різномасштабні угрупування дефектів структури, що формують структуру динамічного фотовідклику у разі комбінованого фотоелектрозбудження. В межах ентропійного підходу показано ефективність представлення кінетики фотоструму I(t) в виді сигнатури I(t) - dI/dt фазового простору. В цьому разі представлення площі сигнатури I(t) - dI/dt в виді множини дозволених фотоіндукованих динамічних станів дозволило провести декомпозицію кінетики фотоструму I(t) на складові, визначити їх парціальні вклади, ступінь взаємозв'язку та запропонувати інтегративний показник збалансованості фотоіндукованих станів. Виявлено безпосередній зв'язок складного НДС зразків з особливостями динамічної структури їх фотовідклику, що може бути використано для вирішення ряду взаємозв'язаних технологічних, діагностичний і експлуатаційних проблем сенсорних кристалів ZnSe:X (X = Te, Cu, Mg) і ZnSe.

  Повний текст PDF - 3.667 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"