Електричні та фотоелектричні властивості кристалів Tl1-xGa1-xSnxSe2 (х=0,05; 0,1)

Махновець, Г. В.; Мирончук, Г. Л.; Піскач, Л. В.; Федосов, С. А.


	Наукова періодика України		Перспективні технології та прилади

Махновець Г. В.
Електричні та фотоелектричні властивості кристалів Tl1-xGa1-xSnxSe2 (х=0,05; 0,1) / Г. В. Махновець, Г. Л. Мирончук, Л. В. Піскач, С. А. Федосов // Перспективні технології та прилади. - 2018. - Вип. 12. - С. 119-123. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ptp_2018_12_21

Повний текст PDF - 474.958 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Махновець Г. В. Електричні та фотоелектричні властивості кристалів Tl1-xGa1-xSnxSe2 (х=0,05; 0,1) / Г. В. Махновець, Г. Л. Мирончук, Л. В. Піскач, С. А. Федосов // Перспективні технології та прилади. - 2018. - Вип. 12. - С. 119-123. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ptp_2018_12_21.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача