Вплив деформаційної перебудови зонної структури кристалів n-ge на рухливість носіїв заряду

Луньов, C. В.; Бурбан, О. В.; Назарчук, П. Ф.; Ящинський, Л. В.


	Наукова періодика України		Перспективні технології та прилади

Луньов C. В.
Вплив деформаційної перебудови зонної структури кристалів n-ge на рухливість носіїв заряду / C. В. Луньов, О. В. Бурбан, П. Ф. Назарчук, Л. В. Ящинський // Перспективні технології та прилади. - 2012. - Вип. 2. - С. 150-158. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ptp_2012_2_20

Повний текст PDF - 1.264 Mb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Луньов C. В. Вплив деформаційної перебудови зонної структури кристалів n-ge на рухливість носіїв заряду / C. В. Луньов, О. В. Бурбан, П. Ф. Назарчук, Л. В. Ящинський // Перспективні технології та прилади. - 2012. - Вип. 2. - С. 150-158. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ptp_2012_2_20.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача