Mechanism of Oxygen Redistribution During Ultra-Shallow Junction Formation in Silicon

Oberemok, O. S.; Gamov, D. V.; Litovchenko, V. G.; Romanyuk, B. M.; Melnik, V. P.; Klad’ko, V. P.; Popov, V. G.; Gudymenko, O. Yo.


	Наукова періодика України		Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties

Oberemok O. S.
Mechanism of Oxygen Redistribution During Ultra-Shallow Junction Formation in Silicon / O. S. Oberemok, D. V. Gamov, V. G. Litovchenko, B. M. Romanyuk, V. P. Melnik, V. P. Klad’ko, V. G. Popov, O. Yo. Gudymenko // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2013. - Vol. 2, no. 1. - С. 01PCSI14-01PCSI14. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2013_2_1_57

Повний текст PDF - 218.202 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Oberemok O. S. Mechanism of Oxygen Redistribution During Ultra-Shallow Junction Formation in Silicon / O. S. Oberemok, D. V. Gamov, V. G. Litovchenko, B. M. Romanyuk, V. P. Melnik, V. P. Klad’ko, V. G. Popov, O. Yo. Gudymenko // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2013. - Vol. 2, no. 1. - С. 01PCSI14-01PCSI14. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2013_2_1_57.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача