Oxygen Behavior Around Heavily Doped Ultra-Shallow Junction in Si

Oberemok, O. S.; Gudymenko, O. Yo.; Lytovchenko, V. G.; Melnyuk, V. P.


	Наукова періодика України		Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties

Oberemok O. S.
Oxygen Behavior Around Heavily Doped Ultra-Shallow Junction in Si / O. S. Oberemok, O. Yo. Gudymenko, V. G. Lytovchenko, V. P. Melnyuk // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2012. - Vol. 1, no. 3. - С. 03PCSI13-03PCSI13. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2012_1_3_58

Повний текст PDF - 225.846 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Oberemok O. S. Oxygen Behavior Around Heavily Doped Ultra-Shallow Junction in Si / O. S. Oberemok, O. Yo. Gudymenko, V. G. Lytovchenko, V. P. Melnyuk // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2012. - Vol. 1, no. 3. - С. 03PCSI13-03PCSI13. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2012_1_3_58.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача